[发明专利]使用低等硅原料制成半导体晶锭的方法和系统有效
| 申请号： | 200880109607.6 | 申请日： | 2008-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN102037163A | 公开（公告）日： | 2011-04-27 |
| 发明（设计）人： | F·基尔希特;M·豪雅;V·阿布罗斯莫娃;D·林克;J·P·拉克特里拉;K·安拉杰拉 | 申请（专利权）人： | 卡利太阳能有限公司 |
| 主分类号： | C30B9/04 | 分类号： | C30B9/04 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 张萍 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了硅晶锭生成技术使用低级硅原料在一坩埚设备内由低级硅原料形成熔融硅并对坩埚设备内的熔融硅进行定向凝固。所述定向凝固形成一定量的固化硅和一定量的熔融硅。本发明的方法和系统包括将坩埚设备内的所述一定量的熔融硅的至少一部分去除，同时保留所述一定量的固化硅。对所述一定量的固化硅的定向凝固进行控制，同时去除受污染的熔融硅，能够形成一具有比低等硅原料更高级的硅的硅晶锭。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 低等 原料 制成 半导体 方法 系统 | ||
【主权项】：
一种使用低级硅原料形成硅晶锭的方法，所述硅晶锭包含比所述低级硅原料更高级的硅，其特征在于：所述方法包括以下步骤：在一坩埚设备内由低级硅原料形成熔融硅；在坩埚设备内对所述熔融硅进行定向凝固以形成一硅晶锭，所述定向凝固形成一定量的固化硅以及一定量的熔融硅；将坩埚设备内至少一部分一定量的熔融硅去除，保留所述一定量的熔融硅；以及控制所述一定量的固化硅的定向凝固过程以形成一具有比低级硅原料更高级的硅的硅晶锭。
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