[发明专利]反及闸记忆体阵列格、反及闸快闪记忆体及其资料处理方法无效
| 申请号： | 200880109689.4 | 申请日： | 2008-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN101809671A | 公开（公告）日： | 2010-08-18 |
| 发明（设计）人： | 崔雄林 | 申请（专利权）人： | 崔雄林 |
| 主分类号： | G11C16/02 | 分类号： | G11C16/02 |
| 代理公司： | 北京华夏博通专利事务所 11264 | 代理人： | 刘俊 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种可在热载流子注入方案中编程的反及闸记忆体阵列格，一种具有所述反及闸记忆体阵列格的反及闸快闪记忆体，以及一种用于所述反及闸快闪记忆体的资料处理方法。所述反及闸记忆体阵列格包括一个选择晶体管和至少两个储存晶体管。所述反及闸记忆体阵列格可透过控制体偏压和加入于一闸极的一电压，而在所述热载子注入方案中进行编程。 | ||
| 搜索关键词： | 记忆体 阵列 闸快闪 及其 资料 处理 方法 | ||
【主权项】：
一种反及闸记忆体阵列格，包括：一选择晶体管，具有连接到一位元线的一个终端和加入一选择信号的一闸极端；以及一储存装置，回应多条字线而操作，所述储存装置具有所述一个终端连接到所述选择晶体管的另一个终端，而所述另一个终端连接到一源极线，其中，所述储存装置包括至少两个储存晶体管，在所述选择晶体管的所述另一个终端和所述源极线之间串联。
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