[发明专利]硅的蚀刻方法

摘要

本发明提供一种硅的蚀刻方法，其课题在于，使硅的蚀刻速度提高。其中，在氟系原料的CF4和Ar的混合气体中添加露点成为10℃～40℃的量的水，在大气压下进行等离子体化。将等离子体化后的气体和来自臭氧发生器13的含有臭氧的气体混合，得到反应气体。反应气体包含1vol％以上的臭氧、COF2等非自由基氟系中间物质和0.4vol％以上的HF等氟系反应物质，氟原子数(F)和氢原子数(H)的比为(F)/(H)＞1.8。将该反应气体喷射到温度10℃～50℃的硅膜91(被处理物)上。

主权项

一种蚀刻方法，其是对包含硅的被处理物进行蚀刻的方法，其特征在于，实施对将温度设定为10℃～50℃的被处理物喷射反应气体的喷射工序，所述反应气体包含：(a)能够使硅氧化的氧化性气体；(b)含有0.4Vol％以上的氟化氢且具有对氧化硅的蚀刻能力的氟系反应物质；和(c)与水反应形成所述氟系反应物质的非自由基氟系中间物质，其中，该反应气体中的氟原子数(F)和氢原子数(H)之比为(F)/(H)＞1.8。