[发明专利]混合型电容耦合和电感耦合等离子处理系统的方法和设备有效
| 申请号： | 200880110039.1 | 申请日： | 2008-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN101809722A | 公开（公告）日： | 2010-08-18 |
| 发明（设计）人： | 阿列克谢·马拉赫塔诺夫;尼尔·本杰明;艾瑞克·胡德森;拉金德尔·德辛德萨 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/205 |
| 代理公司： | 上海华晖信康知识产权代理事务所(普通合伙) 31244 | 代理人： | 樊英如 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供一种具有用于处理基片的等离子处理室的电容耦合等离子(CCP)处理系统。该电容耦合等离子(CCP)处理系统包括用于处理该基片的上部电极和下部电极，该基片在等离子处理期间设在该下部电极上。该电容耦合等离子(CCP)处理系统还包括感应线圈装置阵列，构造为该上部电极和该下部电极之间的间隙中以感应方式维持等离子。 | ||
| 搜索关键词： | 混合 电容 耦合 电感 等离子 处理 系统 方法 设备 | ||
【主权项】：
一种具有用于处理基片的等离子处理室的电容耦合等离子(CCP)处理系统，包括：用于处理所述基片的至少一个上部电极和一个下部电极，所述基片在等离子处理期间设在所述下部电极上；以及感应线圈装置阵列，所述感应线圈装置阵列设在所述上部电极上方，所述感应线圈装置阵列构造为在所述上部电极和所述下部电极之间的间隙中以感应方式维持等离子。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
