[发明专利]垂直磁记录介质和磁记录再生装置无效
| 申请号： | 200880110178.4 | 申请日： | 2008-10-02 |
| 公开（公告）号： | CN101816042A | 公开（公告）日： | 2010-08-25 |
| 发明（设计）人： | 佐佐木有三 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | G11B5/66 | 分类号： | G11B5/66;G11B5/65 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 段承恩;田欣 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种垂直磁记录介质，它是在非磁性基板上至少具有衬里层、取向控制层、磁记录层、保护层的垂直磁记录介质，其特征在于，磁记录层由3层以上构成，从基板侧起包含第一磁记录层、第二磁记录层、第三磁记录层，在第二磁记录层和第三磁记录层之间包含降低两层的交换耦合的交换耦合降低层，各磁记录层的晶体磁各向异性能量Ku是第一磁记录层为4×106erg/cc以上、第二磁记录层为2×106erg/cc以下、第三磁记录层为1×106erg/cc以下。而且，本发明还涉及使用了该垂直磁记录介质的磁记录再生装置。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 记录 介质 再生 装置 | ||
【主权项】：
一种垂直磁记录介质，是在非磁性基板上至少具有衬里层、取向控制层、磁记录层、保护层的垂直磁记录介质，其特征在于，磁记录层由3层以上构成，从基板侧起包含第一磁记录层、第二磁记录层、第三磁记录层，在第二磁记录层和第三磁记录层之间包含降低两层的交换耦合的交换耦合降低层，各磁记录层的晶体磁各向异性能量Ku是第一磁记录层为4×106erg/cc以上、第二磁记录层为2×106erg/cc以下、第三磁记录层为1×106erg/cc以下。
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