[发明专利]生长Ⅲ族氮化物晶体的方法无效
| 申请号： | 200880110221.7 | 申请日： | 2008-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN101815816A | 公开（公告）日： | 2010-08-25 |
| 发明（设计）人： | 上松康二;吉田浩章;弘田龙;藤原伸介;田中晴子 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38;C30B19/04 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 陈海涛;樊卫民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种能够通过液相法生长大型晶体的生长III族氮化物晶体的方法。本发明具体公开了一种通过液相法生长III族氮化物晶体(10)的方法，所述生长III族氮化物晶体(10)的方法包括：准备III族氮化物晶体衬底(1)的步骤，所述衬底(1)具有与所述III族氮化物晶体(10)相同的化学组成，并具有0.5mm以上的厚度；以及将溶液与所述III族氮化物晶体衬底(1)的主面(1m)接触并且在所述主面(1m)上生长III族氮化物晶体(10)的步骤，所述溶液通过使含氮气体(5)溶于包含III族金属的溶剂(3)中而获得。 | ||
| 搜索关键词： | 生长 氮化物 晶体 方法 | ||
【主权项】：
一种通过液相技术生长III族氮化物晶体的方法，所述生长III族氮化物晶体的方法包括：准备III族氮化物晶体衬底的步骤，所述衬底具有与所述III族氮化物晶体相同的化学组成，并具有0.5mm以上的厚度；以及将溶液与所述III族氮化物晶体衬底的主面接触以在所述主面上生长III族氮化物晶体的步骤，所述溶液通过使含氮气体溶于包含III族金属的溶剂中而得到。
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