[发明专利]一种矩阵微电子装置有效
申请号: | 200880110422.7 | 申请日: | 2008-10-01 |
公开(公告)号: | CN101981916A | 公开(公告)日: | 2011-02-23 |
发明(设计)人: | 阿尔诺佩泽拉;马克阿尔克;珍吕克马丁 | 申请(专利权)人: | 法国原子能与替代能委员会 |
主分类号: | H04N5/32 | 分类号: | H04N5/32 |
代理公司: | 上海宏威知识产权代理有限公司 31250 | 代理人: | 金利琴 |
地址: | 法国*** | 国省代码: | 法国;FR |
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摘要: | 本发明公开一种矩阵微电子装置,其包含:依照一矩阵来排列的多个基本单元(10011,10012,10021,10022),其中各个基本单元至少包含一由至少一个电流源晶体管(T1)所形成的电流源;晶体管(T1)的源极连接至多个电源偏压导线(1051,1052)中的一电源偏压导线,其中电源偏压导线分别连接矩阵的列单元的各个电流产生器晶体管的源极;晶体管(T1)的栅极连接至多个栅极偏压导线中的一栅极偏压导线(1071,1072),其中栅极偏压导线连接矩阵列单元的各个电流产生器晶体管的各栅极。本发明的一种矩阵微电子装置,特别是用于电磁辐射(例如,X射线)的检测,其中该装置的基本单元或元素分别设有一不具有缺失的电流源。 | ||
搜索关键词: | 一种 矩阵 微电子 装置 | ||
【主权项】:
一种矩阵微电子装置,其特征在于:其包含:依照一矩阵来排列的多个基本单元(10011,10012,10021,10022),其中所述各个基本单元至少包含一由至少一个电流源晶体管(T1)所形成的电流源;‑所述晶体管(T1)的源极连接至多个电源偏压导线(1051,1052)中的一电源偏压导线,其中所述电源偏压导线分别连接所述矩阵的列单元的各个电流产生器晶体管的源极;‑所述晶体管(T1)的栅极连接至多个栅极偏压导线中的一栅极偏压导线(1071,1072),其中所述栅极偏压导线连接所述矩阵列单元的各个电流产生器晶体管的各栅极;其中该装置还包含用以偏压所述栅极偏压导线的手段,其包含:‑至少一第一连接线(108,218),其可连接至至少若干所述栅极偏压导线,‑用以产生电流(210)或电压(110‑120)的手段,其设在所述第一连接线的至少一端上,以及提供用以产生沿所述第一连接线的电位变化。
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