[发明专利]一种矩阵微电子装置有效

专利信息
申请号: 200880110422.7 申请日: 2008-10-01
公开(公告)号: CN101981916A 公开(公告)日: 2011-02-23
发明(设计)人: 阿尔诺佩泽拉;马克阿尔克;珍吕克马丁 申请(专利权)人: 法国原子能与替代能委员会
主分类号: H04N5/32 分类号: H04N5/32
代理公司: 上海宏威知识产权代理有限公司 31250 代理人: 金利琴
地址: 法国*** 国省代码: 法国;FR
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开一种矩阵微电子装置,其包含:依照一矩阵来排列的多个基本单元(10011,10012,10021,10022),其中各个基本单元至少包含一由至少一个电流源晶体管(T1)所形成的电流源;晶体管(T1)的源极连接至多个电源偏压导线(1051,1052)中的一电源偏压导线,其中电源偏压导线分别连接矩阵的列单元的各个电流产生器晶体管的源极;晶体管(T1)的栅极连接至多个栅极偏压导线中的一栅极偏压导线(1071,1072),其中栅极偏压导线连接矩阵列单元的各个电流产生器晶体管的各栅极。本发明的一种矩阵微电子装置,特别是用于电磁辐射(例如,X射线)的检测,其中该装置的基本单元或元素分别设有一不具有缺失的电流源。
搜索关键词: 一种 矩阵 微电子 装置
【主权项】:
一种矩阵微电子装置,其特征在于:其包含:依照一矩阵来排列的多个基本单元(10011,10012,10021,10022),其中所述各个基本单元至少包含一由至少一个电流源晶体管(T1)所形成的电流源;‑所述晶体管(T1)的源极连接至多个电源偏压导线(1051,1052)中的一电源偏压导线,其中所述电源偏压导线分别连接所述矩阵的列单元的各个电流产生器晶体管的源极;‑所述晶体管(T1)的栅极连接至多个栅极偏压导线中的一栅极偏压导线(1071,1072),其中所述栅极偏压导线连接所述矩阵列单元的各个电流产生器晶体管的各栅极;其中该装置还包含用以偏压所述栅极偏压导线的手段,其包含:‑至少一第一连接线(108,218),其可连接至至少若干所述栅极偏压导线,‑用以产生电流(210)或电压(110‑120)的手段,其设在所述第一连接线的至少一端上,以及提供用以产生沿所述第一连接线的电位变化。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于法国原子能与替代能委员会,未经法国原子能与替代能委员会许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200880110422.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top