[发明专利]非易失性存储元件和使用该非易失性存储元件的非易失性半导体装置有效
| 申请号： | 200880111811.1 | 申请日： | 2008-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN101828262A | 公开（公告）日： | 2010-09-08 |
| 发明（设计）人： | 神泽好彦;村冈俊作;三谷觉;魏志强;高木刚 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/10 | 分类号： | H01L27/10;H01L45/00;H01L49/00 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;刘春成 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种非易失性存储元件和使用该非易失性存储元件的非易失性半导体装置。本发明的非易失性存储元件包括：第一电极(503)；第二电极(505)；和电阻变化层(504)，其位于第一电极(503)与第二电极(505)之间，且与第一电极(503)和第二电极(503)连接，电阻值根据被提施加在两个电极(503)、(505)之间的电信号可逆地变化，上述第一电极和上述第二电极利用由相互不同的元素形成的材料构成。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 存储 元件 使用 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种非易失性存储元件，其特征在于，包括：第一电极；第二电极；和电阻变化层，其位于所述第一电极与所述第二电极之间，以与所述第一电极和所述第二电极相接的方式设置，根据施加在所述第一电极与所述第二电极之间的极性不同的电信号可逆地变化，所述电阻变化层由氧不足型的钽氧化物层构成，所述第一电极和所述第二电极利用由相互不同的元素形成的材料构成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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