[发明专利]背侧层的磁检测有效

专利信息
申请号: 200880111860.5 申请日: 2008-10-16
公开(公告)号: CN101828261A 公开(公告)日: 2010-09-08
发明(设计)人: 维克托·泽尔恩;罗伯图斯·A·M·沃尔特斯 申请(专利权)人: NXP股份有限公司
主分类号: H01L23/58 分类号: H01L23/58
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 王波波
地址: 荷兰艾*** 国省代码: 荷兰;NL
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摘要: 发明涉及一种包括具有第一侧和相对的第二侧的衬底的集成电路。在衬底的第一侧(S1)上设置电路(EC),其中该电路(EC)包括至少一个磁场传感器(Snsr1,Snsr2,Snsr3,Snsr4)。该集成电路还包括通过采用晶片级类型沉积处理步骤,在衬底(SUB)的第二侧(S2)上设置的可磁化区(MR)。可磁化区(MR)的磁矩配置成用于产生在至少一个磁场传感器(Snsr,Snsr1,Snsr2,Snsr3,Snsr4)的位置可检测的磁场(H1,H2)。本集成电路构成了一个非常简单的结构,并且实现了高度小型化的解决方案,由于缩小了尺寸很适合用于银行卡。尝试从其环境(例如银行卡)去除根据本发明的集成电路会造成可磁化区(MR)损坏(部分去除)或者甚至完全去除。本发明提供了抵御外来攻击的第一级安全。本发明的实施例提供了更高的安全级别。阐述了可以有利地集成在该集成电路中的各种磁场传感器。本发明也涉及设置有这种集成电路的卡。按照本发明的设计的卡更加安全。本发明还涉及初始化这种集成电路的方法以及检验这种集成电路真实性的方法。
搜索关键词: 背侧层 检测
【主权项】:
一种集成电路,包括:-具有第一侧(S1)和相对的第二侧(S2)的衬底(SUB);-在衬底的第一侧(S1)上设置的电路(EC),其中所述电路包括至少一个磁场传感器(Snsr1,Snsr2,Snsr3,Snsr4),以及-通过采用晶片级类型沉积处理步骤,在所述衬底(SUB)的第二侧(S2)上设置的可磁化区(MR),所述可磁化区(MR)的磁矩(MD1)配置成用于产生在所述至少一个磁场传感器(Snsr,Snsr1,Snsr2,Snsr3,Snsr4)的位置可检测的磁场(H1,H2)。
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