[发明专利]III族氮化物半导体发光元件无效
| 申请号： | 200880112206.6 | 申请日： | 2008-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN101828276A | 公开（公告）日： | 2010-09-08 |
| 发明（设计）人： | 菊池友;宇田川隆 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 段承恩;陈海红 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种III族氮化物半导体发光元件，其具有基板(1)和设置于该基板的表面上的具有由III族氮化物半导体形成的势垒层(11b、12b)和由含铟的III族氮化物半导体形成的阱层(11a、12a)的多量子阱结构的发光层(10)，其中，该发光层是将多个重层部(11、12)层叠而构成的，所述重层部(11、12)是具有1个由阱层和势垒层构成的单元重层部分(11m)而构成的，或者是使2个以上的该单元重层部分(12m)层叠而构成的，在重层部(12)的单元重层部分(12m)为2个以上的情况下，其阱层彼此以及势垒层彼此的层厚和组成分别相同，重层部(11、12)彼此的单元重层部分的势垒层(11b、12b)的层厚相互不同，由此采用单独构成的唯一的发光层，能够在简单的构成下简便地射出多波长光。 | ||
| 搜索关键词： | iii 氮化物 半导体 发光 元件 | ||
【主权项】：
一种III族氮化物半导体发光元件，具有基板和设置于该基板的表面上的具有由III族氮化物半导体形成的势垒层和由含铟的III族氮化物半导体形成的阱层的多量子阱结构的发光层，该发光元件的特征在于，所述多量子阱结构的发光层是层叠多个重层部而构成的，所述重层部是具有1个由阱层和势垒层构成的单元重层部分而构成的，或者是使2个以上的该单元重层部分层叠而构成的，在所述重层部的单元重层部分为2个以上的情况下，其阱层彼此以及势垒层彼此的层厚和组成分别相同，所述重层部彼此的单元重层部分的势垒层的层厚相互不同。
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