[发明专利]作为有机半导体的酮基吡咯

摘要

包含至少一个式(Ia)部分的单体或聚合化合物，其中X是CR，其中R是H或如权利要求1所定义的取代基，或者是另外的酮基吡咯部分，例如式(Ib)或(Ic)的酮基吡咯部分，该部分和所有其它符号如权利要求1所定义，所述化合物呈现良好的有机溶剂溶解性和优异的成膜性。另外，当将根据本发明的聚合物用于半导体器件或有机光生伏打(PV)器件(太阳能电池)时，可以观察到高的能量转换效率、优异的场效应迁移率、良好的开/关电流比和/或优异的稳定性。

主权项

1.一种半导体器件，尤其是二极管、光电二极管、有机场效应晶体管、太阳能电池，或含有二极管和/或光电二极管和/或有机场效应晶体管和/或太阳能电池的器件，其含有包含式(I)的化合物或相应的含式(Ia)的重复单元的低聚物或聚合物、或这种化合物、低聚物或聚合物的互变异构体的层：其中a、b、c、d、e和f是0-3；A、A’、R¹、R²各自独立地选自氢；E；C₁-C₂₅烷基、C₂-C₂₅烯基、C₂-C₂₄炔基，各自可任选地，被E取代和/或在存在C，C-单键的情况下在任意C，C-单键中被D插入；可被E取代，尤其是被C₁-C₈烷基、C₁-C₈硫烷氧基或C₁-C₈烷氧基取代1-3次的环烷基；或可被未取代的苯基或E取代的，尤其是C₁-C₄烷基、卤素、硝基或氰基取代1-3次的苯基稠合1或2次的环烷基；环烯基；酮或醛基；酯基；氨基甲酰基团；甲硅烷基；硅氧烷基；Ar¹⁰或-CR⁵R⁶-(C_gH_2g)-Ar¹⁰，其中g表示0、1、2、3或4；或R²和Ar¹与它们所键接的乙烯基部分一起形成环如芳基或杂芳基，其可任选地被G取代；X是CR，其中R如R¹所定义，或者是另外的式(Ib)的酮基吡咯部分下标g是0或1，并且在存在的情况下，Ar是通过2个化学双键连接到分子的其余部分的四价残基，并且选自醌型C₆-C₁₀环体系，如＝C₆H₄＝，和式的残基；Ar¹在不与R²连接的情况下和Ar²、Ar²’、Ar³、Ar³’、Ar⁴、Ar⁴’和Ar⁵彼此独立地选自具有5-15个碳原子的二价碳环部分、具有2-15个碳原子和1-8个选自O、N、S、Si的杂原子的二价杂环部分，所述部分各自含有共轭或交叉共轭的双键和/或叁键，或烯属或炔属部分，其中这些部分各自是未被取代的或被E取代的；R⁵和R⁶彼此独立地表示氢、氟、氰基，或可以被氟、氯或溴取代的C₁-C₄烷基，或可以被C₁-C₄烷基取代1-3次的苯基，Ar¹⁰表示可任选地被G取代的芳基或杂芳基，特别是可被C₁-C₈烷基、C₁-C₈硫烷氧基和/或C₁-C₈烷氧基取代1-3次的苯基或1-或2-萘基；D是-CO-；-COO-；-S-；-SO-；-SO₂-；-OP(O)(OR²⁹)O-；-OP(O)(R’²⁹)O-；-O-；-NR²⁵-；-CR²³＝CR²⁴-；或-C≡C-；和E是-OR²⁹；-SR²⁹；-SOR²⁹；-SO₂R²⁹；-NR²⁵R²⁶；-COR²⁸；-COOR²⁷；-CONR²⁵R²⁶；-CN；硝基；-OP(O)(OR²⁹)₂；-OP(O)(R’²⁹)₂；-Si(R’²⁹)₃；或卤素；G和G’独立地是E；可被D插入的C₁-C₁₈烷基；或C₁-C₁₈烷氧基，其被E取代和/或在含有2个或尤其是更多个碳原子的情况下被D插入，其中R²³、R²⁴、R²⁵和R²⁶彼此独立地为H；C₆-C₁₈芳基；被C₁-C₁₈烷基或C₁-C₁₈烷氧基取代的C₆-C₁₈芳基；C₁-C₁₈烷基；或被-O-插入的C₂-C₁₈烷基；R²⁷和R²⁸彼此独立地为H；C₆-C₁₈芳基；被C₁-C₁₈烷基或C₁-C₁₈烷氧基取代的C₆-C₁₈芳基；C₁-C₁₈烷基；或被-O-插入的C₂-C₁₈烷基；R²⁹是H；C₆-C₁₈芳基；被C₁-C₁₈烷基或C₁-C₁₈烷氧基取代的C₆-C₁₈芳基；C₁-C₁₈烷基；或被-O-插入的C₂-C₁₈烷基；R’²⁹如R²⁹所定义，不同的是R’²⁹不是H。