[发明专利]具有高性能热电性质的纳米结构有效
| 申请号： | 200880113050.3 | 申请日： | 2008-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN101836285A | 公开（公告）日： | 2010-09-15 |
| 发明（设计）人： | 杨培东;A·马宗达;A·I·霍赫鲍姆;陈仁坤;R·D·德尔加多 | 申请（专利权）人： | 加州大学评议会 |
| 主分类号： | H01L21/441 | 分类号： | H01L21/441;H01L35/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 李湘;李家麟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供纳米结构，或者这种纳米结构的阵列，每个纳米结构包含粗糙表面，以及掺杂的或未掺杂的半导体。该纳米结构是一维(1-D)纳米结构，比如纳米线，或二维(2-D)纳米结构。该纳米结构可以被放在两个电极之间并用于热电发电或热电冷却。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 性能 热电 性质 纳米 结构 | ||
【主权项】：
一种包含粗糙表面的一维(1-D)或二维(2-D)纳米结构，其中所述纳米结构包含半导体，并且可选地被掺杂，条件是所述纳米结构不是通过将洁净的p型(111)取向的硅衬底在50℃浸入水性HF/AgNO3溶液中20分钟所制备的硅纳米线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
