[发明专利]制备胶状三元纳米晶体的方法无效
| 申请号： | 200880113211.9 | 申请日： | 2008-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN101835875A | 公开（公告）日： | 2010-09-15 |
| 发明（设计）人： | K·B·卡汗;任小凡 | 申请（专利权）人： | 伊斯曼柯达公司 |
| 主分类号： | C09K11/88 | 分类号： | C09K11/88;C09K11/02 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 过晓东 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种制备三元半导体纳米晶体的胶体溶液的方法，其包括提供二元半导体核；在所述二元半导体核上形成第一壳，所述第一壳包含该二元半导体核的组分之一与另一种组分，所述另一种组分当与该二元半导体结合时将形成三元半导体，从而提供核/壳纳米晶体；及使所述核/壳纳米晶体退火以形成具有合金组成梯度的三元半导体纳米晶体。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 胶状 三元 纳米 晶体 方法 | ||
【主权项】：
一种制备三元半导体纳米晶体的胶体溶液的方法，其包括：(a)提供二元半导体核；(b)在所述二元半导体核上形成第一壳，所述第一壳包含该二元半导体核的组分之一与另一种组分，所述另一种组分当与该二元半导体结合时将形成三元半导体，从而提供核/壳纳米晶体；及(c)使所述核/壳纳米晶体退火以形成具有合金组成梯度的三元半导体纳米晶体。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于伊斯曼柯达公司，未经伊斯曼柯达公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200880113211.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于制造交叉卷绕筒子的纺织机械的过滤装置
- 下一篇：喷墨记录设备
