[发明专利]半导体结构及其制造方法无效
| 申请号： | 200880113357.3 | 申请日： | 2008-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN101842902A | 公开（公告）日： | 2010-09-22 |
| 发明（设计）人： | 比什努·P·戈格伊 | 申请（专利权）人： | HVVi半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在各种实施例中，公开了半导体结构和制造这些结构的方法。在一个实施例中，方法包括同时在半导体材料中或在半导体材料上方形成部分单向晶体管和部分双向晶体管。而且，还描述和要求了其它实施例。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体器件的方法，该方法包括：在半导体层中形成至少一个凹进；在所述半导体层包括所述至少一个凹进的第一区域中及所述第一区域上方形成单向器件；以及在所述半导体层的第二区域中及所述第二区域上方形成双向器件。
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