[发明专利]低电容半导体器件有效
| 申请号： | 200880113447.2 | 申请日： | 2008-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN101878571A | 公开（公告）日： | 2010-11-03 |
| 发明（设计）人： | R·A·罗德里格斯 | 申请（专利权）人： | 力特保险丝有限公司 |
| 主分类号： | H02H3/20 | 分类号： | H02H3/20 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 李娜;李家麟 |
| 地址： | 美国伊*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种具有小面积掩埋区(38，60)以最小化器件电容的浪涌保护器件。在半导体衬底(34)中或在外延层(82)中形成掺杂区(38，60)，然后在其上形成外延层(40，84)以掩埋掺杂区(38，60)。通过最小化对芯片的高温和长时段处理来维持掩埋区(38，60)的小特征。在外延层(40，84)中形成发射极(42，86)。 | ||
| 搜索关键词： | 电容 半导体器件 | ||
【主权项】：
在具有四层半导体芯片的类型的浪涌保护器件中，一个或多个掩埋区和至少两个端子，其中在向该器件施加超过击穿电压的电压时发生从所述芯片的一面到所述芯片的相对面的传导，改进之处包括：形成在所述器件的半导体层的表面中的一个或多个掩埋区，所述掩埋区的杂质浓度部分地限定所述浪涌保护器件的击穿电压；以及形成在所述半导体层上以便覆盖所述掩埋区的半导体材料的外延层，由此对所述外延层的处理基本上不改变所述掩埋区的大小，从而控制所述器件的电容。
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