[发明专利]借助衬底板、尤其是DCB陶瓷衬底板制造和接触电子器件的方法无效
申请号: | 200880113760.6 | 申请日: | 2008-08-04 |
公开(公告)号: | CN101842887A | 公开(公告)日: | 2010-09-22 |
发明(设计)人: | A·卡尔滕巴克;R·韦因克;M·卡斯帕;G·希梅塔;K·韦德纳;J·扎普弗 | 申请(专利权)人: | 西门子公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L25/07;H01L23/495;H01L23/538;H01L21/98;H01L23/373 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 刘春元;李家麟 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | 本发明涉及一种接触至少一个未装壳体的电子器件(1)、尤其是功率器件或者半导体功率器件的方法,所述电子器件具有至少一个分别布置在上侧(3)和/或下侧(5)的用于固定和/或电接触的连接面(7)。将提供一种对至少一个未装壳体的电子器件进行的低成本的电接触,该电子器件尤其是用于大于1000伏的高压范围的、尤其是功率器件或者半导体功率器件,其中所述电子器件具有用于在上侧(3)和/或下侧(5)进行固定和/或电接触的连接面(7)。另外,还将提供所述接触的高集成度、低电感特性、高电流承载能力、有效的冷却、和/或在电和热循环载荷方面的高度可靠性。器件(1)利用其下侧(5)在连接面(7)的范围内分别与衬底(11)、尤其是DCB陶瓷衬底上的相对的连接面(9)相固定和/或电接触;并且在连接面(7)的范围之外并且超出下侧(5),在衬底(11)朝向器件(1)的侧产生电隔离的载体膜(13);上侧(3)的接触面(7)分别与形成预成形的三维结构的、延伸超出上侧(3)的面的导电导体件(15)相固定和/或电接触,其中在载体膜(13)与导体件(15)的三维结构之间产生有电隔离的块件(17)。 | ||
搜索关键词: | 借助 衬底 尤其是 dcb 陶瓷 制造 接触 电子器件 方法 | ||
【主权项】:
一种接触至少一个未装壳体的电子器件(1)、尤其是功率器件或者半导体功率器件的方法,所述电子器件具有至少一个分别布置在上侧(3)和/或下侧(5)的用于固定和/或电接触的连接面(7),其特征在于,-将所述器件(1)利用其下侧(5)固定到超出下侧(5)的面的电隔离载体膜(13)上;-将上侧(3)的接触面(7)分别与形成预成形的三维结构的、延伸超出上侧(3)的面的导电导体件(15)相固定和/或电接触;-在载体膜(13)与导体件(15)的三维结构之间产生电隔离的块件(17);-在连接面(7)的范围内从下侧(5)去除载体膜(13);-将下侧(5)的连接面(7)分别与衬底(11)、尤其是利用电导体被预先结构化的DCB陶瓷衬底上的同连接面(7)之一相对的连接面(9)相固定和/或电接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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