[发明专利]MFMS-FET和铁电体存储设备及其制造方法

摘要

MFMS-FET和铁电体存储装置及其制造方法，其特征在于MFMS-FET和铁电体存储装置结构：包括源和排放区的基片，在其间形成的频道区；在基片的频道区顶端形成的缓冲层；在缓冲层上形成的铁电层，和在铁电体层上形成的门电板，其中的缓冲是由导电材料形成的。MFMS的铁电体存储设备的制造方法，包括：形成源区、漏区和通道区；在相当于基片的通道区的区域内形成一个导电材料的缓冲层；在缓冲层的顶部形成一个铁电体层；在铁电体层的顶部形成一个栅电极。本发明的工业实用性体现在能够实现一种铁电体存储设备，该设备结构简单，具有优良的数据保留特性并能够形成一个具有一个单晶体管结构的稳定的存储单元。

主权项

一种金属 铁电体 金属 基片MFMS铁电体存储设备，其特征在于结构组成如下：一个包括源区和漏区的基片和一个形成在源区和漏区之间的通道区；一个缓冲层，形成在基片的通道区的顶部之上；一个形成在缓冲层上的铁电体层；一个栅电极，形成在铁电体层之上，在其中的缓冲层包含一种导电材料。