[发明专利]硅点形成方法无效
| 申请号： | 200880114555.1 | 申请日： | 2008-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN101842876A | 公开（公告）日： | 2010-09-22 |
| 发明（设计）人： | 东名敦志;可贵裕和;高桥英治 | 申请（专利权）人： | 日新电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;B82B3/00;C01B33/02 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 张鑫;胡烨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种硅点形成方法，该硅点形成方法能在较低的温度下，根据要形成的硅点的粒径，很好地控制硅点粒径，从而形成硅点。在该硅点形成方法中，对设置于等离子体生成室内的低电感天线施加高频功率，使提供给该室内的硅点形成用气体生成感应耦合等离子体，利用该感应耦合等离子体，在配置于该室内的基板(S)上形成硅点，根据要形成的硅点的粒径，控制硅点形成前的基板预处理条件、硅点形成时的基板温度及硅点形成时的等离子体生成室内气压。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种硅点形成方法，对设置于等离子体生成室内的低电感天线施加高频功率，使提供给该室内的硅点形成用气体生成感应耦合等离子体，利用该感应耦合等离子体，在配置于该室内的基板上形成硅点，其特征在于，根据要形成的硅点的粒径，控制硅点形成前的基板预处理条件、硅点形成时的基板温度及硅点形成时的等离子体生成室内气压，从而形成硅点，(1)通过将基板暴露在氧等离子体中进行基板预处理，将硅点形成时的基板温度设定为室温以上且250℃以下，将硅点形成时的等离子体生成室内气压设定为2.0Pa以上且6.0Pa以下，从而形成粒径小于5nm的硅点，或者(2)通过将基板暴露在氢等离子体中进行基板预处理，将硅点形成时的基板温度设定为250℃以上且400℃以下，将硅点形成时的等离子体生成室内气压设定为0.27Pa以上且小于2.0Pa，从而形成粒径在5nm以上的硅点。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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