[发明专利]ZnO系半导体元件无效
| 申请号： | 200880114737.9 | 申请日： | 2008-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN101849297A | 公开（公告）日： | 2010-09-29 |
| 发明（设计）人： | 中原健;汤地洋行;川崎雅司;大友明;塚崎敦 | 申请（专利权）人： | 罗姆股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 岳雪兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种ZnO系半导体元件，其缓和自补偿效应、抑制施主杂质的混入，以容易进行p型化。使MgxZn1-xO(0≤x＜1)基板的主面法线向基板晶轴的a轴c轴平面投影的投影轴向a轴方向倾斜Φa度、且向基板晶轴的m轴c轴平面投影的投影轴向m轴方向倾斜Φm度，角度Φa满足70≤{90-(180/π)arctan(tan(πΦa/180)/tan(πΦm/180))}≤110，且满足Φm≥1，由于被这样形成，所以在该主面上形成的ZnO系半导体层能够抑制施主杂质的混入、缓和自补偿效应而容易进行p型化，从而能够制作出所希望的ZnO系半导体元件。 | ||
| 搜索关键词： | zno 半导体 元件 | ||
【主权项】：
一种ZnO系半导体元件，其中，在主面具有C面的MgxZn1-xO(0≤x＜1)基板中，使所述主面的法线向基板晶轴的a轴c轴平面投影的投影轴向a轴方向倾斜Φa度、向基板晶轴的m轴c轴平面投影的投影轴向m轴方向倾斜Φm度，所述Φa满足70≤{90-(180/π)arctan(tan(πΦa/180)/tan(πΦm/180))}≤110，且满足Φm≥1，在所述主面上形成ZnO系半导体层。
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