[发明专利]聚硅氧烷及其制造方法以及固化物的制造方法有效
申请号: | 200880115007.0 | 申请日: | 2008-11-13 |
公开(公告)号: | CN101848957A | 公开(公告)日: | 2010-09-29 |
发明(设计)人: | 北村昭宪;铃木浩 | 申请(专利权)人: | 东亚合成株式会社 |
主分类号: | C08G77/20 | 分类号: | C08G77/20;C08G77/06;C08G77/32 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 贾成功 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明目的在于,提供一种满足为低粘度的液状物质,并且固化作业性上优良、得到的固化物的耐热性优良的聚硅氧烷及其制造方法以及使用该聚硅氧烷的聚硅氧烷固化物的制造方法。本发明的聚硅氧烷是将具有3个水解性基团的硅化合物、具有2个水解性基团的硅化合物及具有1个水解性基团的硅化合物水解缩聚反应而得,其特征在于,具有可以氢化硅烷化反应的碳-碳不饱和基团、氢化甲硅烷基及烷氧基甲硅烷基,数均分子量为500~20000。 | ||
搜索关键词: | 聚硅氧烷 及其 制造 方法 以及 固化 | ||
【主权项】:
一种聚硅氧烷,其是将具有3个水解性基团的硅化合物(T)、具有2个水解性基团的硅化合物(D)及具有1个水解性基团的硅化合物(M)进行水解·缩聚反应而得到的聚硅氧烷,其特征在于:所述硅化合物(T)、所述硅化合物(D)及所述硅化合物(M)中的至少一种具有氢化甲硅烷基;所述硅化合物(T)、所述硅化合物(D)及所述硅化合物(M)中的至少一种具有可以氢化硅烷化反应的碳-碳不饱和基团;并且,所述聚硅氧烷具有可以氢化硅烷化反应的碳-碳不饱和基团、氢化甲硅烷基及烷氧基甲硅烷基,数均分子量为500~20000。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东亚合成株式会社,未经东亚合成株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200880115007.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:分子基磁性聚合物
- 下一篇:调节补体组分的分子和方法