[发明专利]聚硅氧烷及其制造方法以及固化物的制造方法有效

专利信息
申请号: 200880115007.0 申请日: 2008-11-13
公开(公告)号: CN101848957A 公开(公告)日: 2010-09-29
发明(设计)人: 北村昭宪;铃木浩 申请(专利权)人: 东亚合成株式会社
主分类号: C08G77/20 分类号: C08G77/20;C08G77/06;C08G77/32
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 贾成功
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明目的在于,提供一种满足为低粘度的液状物质,并且固化作业性上优良、得到的固化物的耐热性优良的聚硅氧烷及其制造方法以及使用该聚硅氧烷的聚硅氧烷固化物的制造方法。本发明的聚硅氧烷是将具有3个水解性基团的硅化合物、具有2个水解性基团的硅化合物及具有1个水解性基团的硅化合物水解缩聚反应而得,其特征在于,具有可以氢化硅烷化反应的碳-碳不饱和基团、氢化甲硅烷基及烷氧基甲硅烷基,数均分子量为500~20000。
搜索关键词: 聚硅氧烷 及其 制造 方法 以及 固化
【主权项】:
一种聚硅氧烷,其是将具有3个水解性基团的硅化合物(T)、具有2个水解性基团的硅化合物(D)及具有1个水解性基团的硅化合物(M)进行水解·缩聚反应而得到的聚硅氧烷,其特征在于:所述硅化合物(T)、所述硅化合物(D)及所述硅化合物(M)中的至少一种具有氢化甲硅烷基;所述硅化合物(T)、所述硅化合物(D)及所述硅化合物(M)中的至少一种具有可以氢化硅烷化反应的碳-碳不饱和基团;并且,所述聚硅氧烷具有可以氢化硅烷化反应的碳-碳不饱和基团、氢化甲硅烷基及烷氧基甲硅烷基,数均分子量为500~20000。
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