[发明专利]包含N-取代的咪唑的抛光组合物和将铜膜抛光的方法有效
| 申请号： | 200880115691.2 | 申请日： | 2008-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN101855309A | 公开（公告）日： | 2010-10-06 |
| 发明（设计）人： | 佐藤孝志;高桥浩;岛津嘉友;伊藤祐司 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | C09G1/02 | 分类号： | C09G1/02;H01L21/321 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 林柏楠;彭飞 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： |
本发明提供了用于抛光铜或铜合金的抛光组合物，包含：氧化剂(A)；至少一种选自氨基酸、具有8个或更少碳原子的羧酸、或无机酸的酸(B)；具有含8个或更多碳原子的烷基的磺酸(C)；具有含8个或更多碳原子的烷基的脂肪酸(D)；和下述通式(1)所示的N-取代的咪唑(E)：[化学式1] |
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| 搜索关键词： | 包含 取代 咪唑 抛光 组合 将铜膜 方法 | ||
【主权项】：
1.用于抛光铜或铜合金的抛光组合物，包含：氧化剂(A)；至少一种选自氨基酸、具有8个或更少碳原子的羧酸、或无机酸的酸(B)；具有含8个或更多碳原子的烷基的磺酸(C)；具有含8个或更多碳原子的烷基的脂肪酸(D)；和下述通式(1)所示的N-取代的咪唑(E)：[化学式1]![]()
在式(1)中，Ra、Rb和Rc代表H或具有1至4个碳原子的烷基，且Rd代表选自苄基、乙烯基、具有1至4个碳原子的烷基、和这些基团的一部分H已被OH或NH2替代而得的基团的基团。
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