[发明专利]半导体装置、带有单晶半导体薄膜的基板和它们的制造方法有效
| 申请号： | 200880115929.1 | 申请日： | 2008-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN101855703A | 公开（公告）日： | 2010-10-06 |
| 发明（设计）人： | 高藤裕;福岛康守;多田宪史;中川和男;松本晋;富安一秀 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/265;H01L21/336;H01L27/12;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供在包含转印至耐热性差的绝缘基板上的单晶半导体薄膜的单晶半导体元件中，能够提高晶体管特性的半导体装置、带有单晶半导体薄膜的基板和它们的制造方法。本发明为在绝缘基板上具备包含单晶半导体薄膜的多个单晶半导体元件的半导体装置的制造方法，上述制造方法包括：第一热处理工序，以不足650℃对上述单晶半导体薄膜进行热处理，上述单晶半导体薄膜掺杂有杂质，形成上述多个单晶半导体元件的至少一部分，并且与上述绝缘基板接合；和第二热处理工序，在上述第一热处理工序之后，以比上述第一热处理工序的热处理时间短的时间，在650℃以上对上述单晶半导体薄膜进行热处理。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 带有 薄膜 它们 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置的制造方法，其为在绝缘基板上具备包含单晶半导体薄膜的多个单晶半导体元件的半导体装置的制造方法，该半导体装置的制造方法的特征在于，包括：第一热处理工序，以不足650℃对该单晶半导体薄膜进行热处理，该单晶半导体薄膜掺杂有杂质，形成该多个单晶半导体元件的至少一部分，并且与该绝缘基板接合；和第二热处理工序，在所述第一热处理工序之后，以比所述第一热处理工序的热处理时间短的时间，在650℃以上对该单晶半导体薄膜进行热处理。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于夏普株式会社，未经夏普株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200880115929.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于光电太阳能板的接线盒
- 下一篇：液晶显示装置及其控制方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
