[发明专利]薄膜晶体管、薄膜晶体管的制作方法以及显示装置有效
| 申请号： | 200880116108.X | 申请日： | 2008-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN101861642A | 公开（公告）日： | 2010-10-13 |
| 发明（设计）人： | 守口正生;齐藤裕一;希达亚特·奇斯达琼奴 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人： | 权鲜枝 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 以高的制造效率提供导通电流大、且抑制了截止电流的薄膜晶体管。本发明的薄膜晶体管具备：栅极电极；微晶硅层，其包含微晶硅，具有与基板面平行的上面和下面以及被上面和下面隔着的端面；第一接触层和第二接触层，其包含杂质，形成为分别与微晶硅层相接；源极电极，其形成为与第一接触层相接；以及漏极电极，其形成为与第二接触层相接，第一接触层和第二接触层中的至少一方不与微晶硅层的上面和下面相接而仅与端面相接。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 制作方法 以及 显示装置 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，具备包含微晶硅的半导体层，其特征在于：具备：栅极电极；微晶硅层，其包含微晶硅，具有与基板面平行的上面和下面以及被上述上面和下面隔着的端面；第一接触层和第二接触层，其包含杂质；源极电极，其形成为与上述第一接触层相接；以及漏极电极，其形成为与上述第二接触层相接，上述第一接触层和第二接触层中的至少一方不与上述微晶硅层的上述上面和下面相接而仅与上述端面相接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
