[发明专利]半导体元件以及半导体元件制造方法无效
| 申请号： | 200880116660.9 | 申请日： | 2008-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN101919032A | 公开（公告）日： | 2010-12-15 |
| 发明（设计）人： | 小林光;长泽弘幸;八田直记;河原孝光 | 申请（专利权）人： | HOYA株式会社;小林光 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/20;H01L21/28;H01L29/161;H01L29/423;H01L29/47;H01L29/49;H01L29/78;H01L29/872;H01L29/94 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 岳雪兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体元件以及半导体元件制造方法，该半导体元件具有由碳化硅构成的半导体基板、形成在所述半导体基板上的栅极绝缘膜以及形成在所述栅极绝缘膜上的栅极电极。所述半导体基板表面中与所述栅极绝缘膜结合的结合面在宏观上平行于非极性面，且微观上由非极性面和极性面构成，在所述极性面中Si面和C面中的任意一个面占优势。本发明的半导体元件具有由碳化硅构成的半导体基板和形成在所述半导体基板上的电极。所述半导体基板表面中与所述电极结合的结合面宏观上平行于非极性面，且微观上由非极性面和极性面构成，在所述极性面中Si面和C面中的任意一个面占优势。本发明是以碳化硅为基板的半导体元件，在碳化硅外延层的非极性面中，能够提高电极-碳化硅界面，或者氧化膜(绝缘膜)-碳化硅界面的电特性和稳定性，而与基板的缺陷密度无关。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体元件，具有由碳化硅构成的半导体基板、形成在所述半导体基板上的栅极绝缘膜以及形成在所述栅极绝缘膜上的栅极电极，该半导体元件的特征在于，所述半导体基板表面中与所述栅极绝缘膜结合的结合面宏观上平行于非极性面，且微观上由非极性面和极性面构成，在所述极性面中Si面和C面中的任意一个面占优势。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
