[发明专利]具有接触集成的集成电路系统无效
| 申请号： | 200880116676.X | 申请日： | 2008-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN101861645A | 公开（公告）日： | 2010-10-13 |
| 发明（设计）人： | P·R·贝塞尔 | 申请（专利权）人： | 先进微装置公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/532 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;靳强 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供一种形成集成电路系统的方法(1000)，包含：提供集成电路器件(104)；以及于该集成电路器件(104)上方形成集成接触(integrated contact)(102)；形成集成接触于该集成电路器件上方的步骤包含：于该集成电路器件(104)上方设置通孔(112)；在该通孔(112)中形成选择性金属(114)；于该选择性金属(114)上方形成至少一个纳米管(116)；以及于该纳米管(116)上方形成盖件(118)。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 接触 集成 集成电路 系统 | ||
【主权项】：
一种形成集成电路系统的方法(1000)，包括：提供集成电路器件(104)；以及在该集成电路器件(104)上方形成集成接触(102)，包括：在该集成电路器件(104)上方设置通孔(112)；在该通孔(112)中形成选择性金属(114)；在该选择性金属(114)上方形成至少一个纳米管(116)；以及在该纳米管(116)上方形成盖件(118)。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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