[发明专利]含硅氧烷的可光图案化沉积抑制剂有效
| 申请号： | 200880116804.0 | 申请日： | 2008-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN101868762A | 公开（公告）日： | 2010-10-20 |
| 发明（设计）人： | L·M·欧文;D·H·莱维;D·C·弗里曼;C·杨;P·J·考德里-科万 | 申请（专利权）人： | 伊斯曼柯达公司 |
| 主分类号： | G03F7/075 | 分类号： | G03F7/075;G03F7/40 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 王伦伟;林毅斌 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种用于形成图案化薄膜的原子层沉积工艺，包括提供基材，向基材上施加可光图案化的沉积抑制剂材料，其中所述沉积抑制剂材料包括有机硅氧烷化合物；图案化所述沉积抑制剂材料。所述薄膜基本上只沉积在基材上不具有沉积抑制剂材料的选区内。 | ||
| 搜索关键词： | 含硅氧烷 图案 沉积 抑制剂 | ||
【主权项】：
形成图案化薄膜的方法，包括：(a)提供基材；(b)向基材施加包括可光图案化的沉积抑制剂材料的组合物，其中所述沉积抑制剂材料包括有机硅氧烷；(c)将所述可光图案化的沉积抑制剂材料暴露于成象光化辐射以形成由处于第二曝光态的沉积抑制剂材料构成的图案，其中所述第二曝光态不同于第一涂覆态；(d)通过处理所述曝光的可光图案化的沉积抑制剂材料将所述沉积抑制剂材料图案化，以提供充分地不具有所述沉积抑制剂材料的选区；和(e)通过气相沉积工艺在基材上沉积功能材料层；其中所述功能材料基本上只沉积在基材上的不具有所述沉积抑制剂材料的选区内。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于伊斯曼柯达公司，未经伊斯曼柯达公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200880116804.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
