[发明专利]存储器单元有效
| 申请号： | 200880117253.X | 申请日： | 2008-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN101868855A | 公开（公告）日： | 2010-10-20 |
| 发明（设计）人： | 保田周一郎;荒谷胜久;河内山彰;水口徹也;佐佐木智 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L27/10 | 分类号： | H01L27/10;G11C13/00;H01L45/00;H01L49/00 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;吴孟秋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种存储器单元，其中，电阻值被适当控制，从而可变电阻元件可以被施加有将元件改变为高或低电阻状态所需的电压。存储元件(10)、非线性电阻元件(20)和MOS晶体管(30)串联电连接。存储元件(10)具有与MOS晶体管(30)的非线性电流-电压特性相反的非线性电流-电压特性，并且根据施加电压的极性改变为高或低电阻状态。非线性电阻元件(20)具有与存储元件(10)类似的非线性电流-电压特性的非线性电流-电压特性。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 单元 | ||
【主权项】：
一种存储器单元，包括：串联电连接的MOS晶体管、存储元件以及第一非线性电阻元件，其中，所述存储元件具有与所述MOS晶体管的非线性电流-电压特性相反的非线性电流-电压特性，并且根据施加电压的极性改变为高电阻状态或低电阻状态，以及所述第一非线性电阻元件具有与所述存储元件的非线性电流-电压特性类似的非线性电流-电压特性。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
