[发明专利]存储器中的钨/二氧化硅交界面的衬垫

摘要

一种半导体晶片组件包括电介质基底。在其上方沉积硅层。在硅上方沉积金属硬掩模。在金属硬掩模上方沉积电介质硬掩模。在电介质硬掩模上方沉积光刻胶，由此多个牺牲柱由穿过光刻胶的金属硬掩模层形成，以便牺牲柱从硅层延伸出。界面层被设置在导电材料层和硬掩模层之间以增强多个牺牲柱中的每一个与导电材料层之间的粘合，从而通过防止由于牺牲柱脱落或跌落而使多个牺牲柱过早地从硅层上脱离来优化由硅形成结型二极管。

主权项

一种半导体晶片组件，其包括：电介质基底；在所述电介质基底上方沉积的硅层；在所述硅层上方沉积的金属硬掩模材料层；在所述金属硬掩模材料层上方沉积的电介质硬掩模材料层；在所述金属硬掩模材料层上方沉积的光刻胶层，由此多个牺牲柱被形成为从所述金属硬掩膜材料层开始穿过所述光刻胶层，从而从所述硅层延伸出所述多个牺牲柱；以及界面层，其被设置在所述金属硬掩模材料层和所述电介质硬掩模材料层之间以增强所述金属硬掩模层和所述电介质硬掩模材料层之间的粘合，从而通过防止所述多个牺牲柱从所述硬掩模材料层上脱离来优化用硅层形成结型二极管。