[发明专利]SOI上的氮化镓半导体器件及其制造工艺无效
| 申请号： | 200880117523.7 | 申请日： | 2008-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN101861661A | 公开（公告）日： | 2010-10-13 |
| 发明（设计）人： | R·巴特;K·P·加德卡里;J·内皮尔拉;L·R·平克尼;C-E·扎 | 申请（专利权）人： | 康宁股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/20 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 沙永生 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 用于制造绝缘体上氮化镓半导体的方法和装置包括：将单晶硅层接合至透明衬底；以及在该单晶硅层上生长单晶氮化镓层。 | ||
| 搜索关键词： | soi 氮化 半导体器件 及其 制造 工艺 | ||
【主权项】：
一种装置，包括：透明衬底；接合至所述透明衬底的单晶硅层；以及设置在所述单晶硅层上的单晶氮化镓层。
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