[发明专利]无定形III-V族半导体材料及其制备无效
| 申请号： | 200880117530.7 | 申请日： | 2008-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN102017076A | 公开（公告）日： | 2011-04-13 |
| 发明（设计）人： | 摩西·埃纳威 | 申请（专利权）人： | 摩赛科结晶公司 |
| 主分类号： | H01L21/203 | 分类号： | H01L21/203;H01L21/20 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 吴小瑛 |
| 地址： | 以色列海尔*** | 国省代码： | 以色列;IL |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种用于形成附在基板的III-V族无定形材料的反应蒸发方法，该方法包括以下步骤：使基板受到不大于0.01Pa的环境压力，以及在0.05Pa与2.5Pa之间的工作压力下引入活性的V族蒸汽至基板表面，并且引入III族金属蒸汽，直到在所述表面上形成无定形III-V族物质层。 | ||
| 搜索关键词： | 无定形 iii 半导体材料 及其 制备 | ||
【主权项】：
一种用于形成附在基板上的III‑V族无定形材料的反应蒸发方法，该方法包含以下步骤：使所述基板受到不大于0.01Pa的环境压力；以及在0.05Pa～2.5Pa的工作压力下将活性的V族物质引入至所述基板的表面，并且将III族金属蒸汽引入至所述基板表面，直至在所述表面上形成无定形III‑V族物质层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于摩赛科结晶公司，未经摩赛科结晶公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200880117530.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：基体型金刚石锯片
- 下一篇：旋转带锯床工件夹紧装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
