[发明专利]通过纳米或微米颗粒膜生长的超低位错密度的第三族-氮化物半导体衬底无效
| 申请号： | 200880117780.0 | 申请日： | 2008-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN101874286A | 公开（公告）日： | 2010-10-27 |
| 发明（设计）人： | P·M·瓦兰吉斯;张磊 | 申请（专利权）人： | 纳米晶公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 陈文平 |
| 地址： | 美国新*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了具有超低位错密度的高质量第三族-氮化物半导体晶体通过颗粒膜外延生长在衬底上，该颗粒膜具有多个垂直排列的球体层，以及具有在球体间形成的无数的微米和/或纳米空隙。这些球体可以由各种材料构成，特别是硅石或二氧化硅(SiO2)。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 纳米 微米 颗粒 生长 低位 密度 第三 氮化物 半导体 衬底 | ||
【主权项】：
一种半导体衬底的制造方法，包括如下步骤：在初始衬底上形成三维多层颗粒膜；处理所述初始衬底以形成微米空隙和/或纳米空隙，所述空隙交叉连接并从该颗粒膜的上表面向所述颗粒膜下面的所述初始衬底的表面延伸；在所述处理的初始衬底上通过所述颗粒膜生长第三族-氮化物半导体晶体，所述颗粒膜消除、阻滞和/或消灭所述第三族-氮化物半导体晶体中的位错。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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