[发明专利]通过表面粗糙化的高光提取效率的基于氮化物的发光二极管无效
| 申请号： | 200880117788.7 | 申请日： | 2008-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN101874307A | 公开（公告）日： | 2010-10-27 |
| 发明（设计）人： | 钟弘;阿努拉格·蒂雅吉;肯尼思·J·万波拉;詹姆斯·S·斯佩克;史蒂文·P·登巴尔斯;中村秀治 | 申请（专利权）人： | 加利福尼亚大学董事会 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王允方 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明揭示一种III-氮化物发光二极管(LED)及其制造方法，其中纹理化所述LED的III-氮化物层的半极性或非极性平面的至少一个表面，借此形成经纹理化表面以增加光提取。可通过等离子辅助化学蚀刻、光刻之后进行蚀刻或纳米压印之后进行蚀刻来执行所述纹理化。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 表面 粗糙 提取 效率 基于 氮化物 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种用于制造III-氮化物发光二极管(LED)的方法，其包括：纹理化所述LED的III-氮化物层的半极性或非极性平面的至少一个表面以形成经纹理化表面，其中通过等离子辅助化学蚀刻来执行所述纹理化步骤。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于加利福尼亚大学董事会，未经加利福尼亚大学董事会许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200880117788.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
