[发明专利]铜钝化化学机械抛光组合物和方法有效
申请号: | 200880117903.0 | 申请日: | 2008-11-20 |
公开(公告)号: | CN101874093A | 公开(公告)日: | 2010-10-27 |
发明(设计)人: | 丹妮拉·怀特;贾森·凯莱赫;约翰·帕克 | 申请(专利权)人: | 卡伯特微电子公司 |
主分类号: | C09K3/14 | 分类号: | C09K3/14 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 宋莉 |
地址: | 美国伊*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明提供用于抛光含铜基材的化学机械抛光(CMP)方法和组合物。本发明的方法涉及用本发明的CMP组合物研磨含铜基材的表面,优选该研磨在氧化剂(例如,过氧化氢)的存在下进行。本发明的CMP组合物包含粒状研磨剂、铜络合剂、铜钝化剂和含水载体,所述铜钝化剂带有酸性OH基团和另外的与所述酸性OH基团呈1,6关系的氧取代基。本发明的优选组合物包含0.01~1重量%的粒状研磨剂、0.1~1重量%的铜络合剂、10~1000ppm的铜钝化剂。 | ||
搜索关键词: | 钝化 化学 机械抛光 组合 方法 | ||
【主权项】:
对含铜基材进行化学机械抛光(CMP)的方法,该方法包括用CMP组合物研磨含铜基材的表面,其中该CMP组合物包含:(a)粒状研磨剂;(b)铜络合剂;(c)铜钝化剂,其包含酸性OH基团和另外的带有氧原子的取代基,该氧原子与所述酸性OH基团的氧原子以1,6关系排列;和(d)为此的含水载体。
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