[发明专利]用超快及纳秒激光脉冲于连结处理的系统与方法

摘要

本发明提供用于处理集成电路中导电连结的系统与方法，其使用具有不同脉冲宽度的一连串激光脉冲来移除一目标结构中的不同部分，而实质上不会对该导电连结线下方的材料造成破坏。于某中一实施例中，一超快激光脉冲或是一束超快激光脉冲会先移除一目标区中的一上方钝化层以及连结材料的第一部分。接着，一纳秒激光脉冲会移除该连结材料的第二部分，以便切割该集成电路中两个节点间的电性连接。该纳秒激光脉冲配置成用以减少或消除该下方材料的损坏。

主权项

一种用以从一选定连结结构中的一目标位置处选择性移除材料的方法，该连结结构包括一用以在一对电接触之间提供电性连接的导电连结，该导电连结是位于一半导体基板上的一上方钝化层与一下方钝化层之间，该方法包括：于第一预设范围的脉冲宽度内产生第一激光脉冲；利用该第一激光脉冲照射该连结结构，用以移除该目标位置处的该上方钝化层以及该目标位置处该导电连结的第一部分，其中，移除该导电连结的该第一部分会露出该导电连结的下方第二部分；于第二预设范围的脉冲宽度内产生第二激光脉冲，该第二预设范围是位于该第一预设范围的外面，该第二预设范围的脉冲宽度会经过选择以使由该第二激光脉冲所传递的能量会小于该下方钝化层与该半导体基板的破坏临界；以及利用该第二激光脉冲照射该导电连结的该第二部分，用以切割该对电接触之间的电性连接，其实质上不会对该下方钝化层与该半导体晶圆造成损坏。