[发明专利]用于自旋转移力矩磁阻随机存取存储器中的读取操作的接地电平预充电位线方案无效
| 申请号： | 200880118092.6 | 申请日： | 2008-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN101878506A | 公开（公告）日： | 2010-11-03 |
| 发明（设计）人： | 杨赛森;升·H·康 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 刘国伟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明揭示用于自旋转移力矩磁阻随机存取存储器(STT-MRAM)中的读取操作的系统、电路和方法。提供多个位单元，其每一者耦合到多个位线、字线和源极线中之一。对应于所述多个位线中之一的多个预充电晶体管经配置以在读取操作之前将所述位线放电到接地。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 自旋 转移 力矩 磁阻 随机存取存储器 中的 读取 操作 接地 电平 充电 方案 | ||
【主权项】：
一种自旋转移力矩磁阻随机存取存储器(STT-MRAM)阵列，其包括：多个位单元，其每一者耦合到多个位线、字线和源极线中之一；以及多个预充电晶体管，其每一者对应于所述多个位线中之一，其中所述预充电晶体管经配置以在读取操作之前将所述位线放电到接地。
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