[发明专利]带有电流扩展层的发光二极管有效
| 申请号： | 200880118412.8 | 申请日： | 2008-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN101878545A | 公开（公告）日： | 2010-11-03 |
| 发明（设计）人： | 马蒂亚斯·扎巴蒂尔;马蒂亚斯·彼得 | 申请（专利权）人： | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01S5/343;H01S5/323 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 周涛;李德山 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 德国;DE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提出了一种发光二极管，其具有发射辐射的有源层(7)、n接触部(10)、p接触部(9)和电流扩展层(4)。电流扩展层(4)设置在有源层(7)和n接触部(10)之间。此外，电流扩展层(4)具有多次重复的层序列，该层序列至少具有n掺杂的层(44)、未掺杂的层(42)和AlxGa1-xN构成的层(43)，其中0＜x＜1。AlxGa1-xN构成的层(43)具有Al含量的浓度梯度。 | ||
| 搜索关键词： | 带有 电流 扩展 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种发光二极管，其具有发射辐射的有源层(7)、n接触部(10)、p接触部(9)和电流扩展层(4)，其中-电流扩展层(4)设置在有源层(7)和n接触部(10)之间，-电流扩展层(4)具有多次重复的层序列，-该层序列至少具有n掺杂的层(44)、未掺杂的层(42)和AlxGa1-xN构成的层(43)，其中0＜x＜1，并且-AlxGa1-xN构成的层(43)具有Al含量的浓度梯度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于欧司朗光电半导体有限公司，未经欧司朗光电半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200880118412.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：启动识别方法及逆变器面板
- 下一篇：制造电子器件的工艺
