[发明专利]具有降低的编程电压的基于垂直二极管的存储器单元及其形成方法

摘要

在本发明第一方面中，提供了形成非易失性存储器单元的方法。该方法包括(1)形成金属-绝缘体-金属(MIM)反熔丝叠层，该MIM反熔丝叠层包括(a)第一金属层；(b)在第一金属层上方形成的二氧化硅、氮氧化硅或氮化硅反熔丝层；(c)在该反熔丝层上方形成的第二金属层。该方法还包括(2)在MIM叠层上方形成邻接p-i-n二极管，该邻接p-i-n二极管包括淀积的半导体材料；(3)形成与淀积的半导体材料接触的硅化物、硅锗化物或锗化物层；以及(4)晶化与硅化物、硅锗化物或锗化物层接触的淀积的半导体材料。该存储器单元包括邻接p-i-n二极管和MIM叠层。本发明也提供了其它方面。

主权项

一种形成非易失性存储器单元的方法，该方法包括：形成金属-绝缘体-金属即MIM反熔丝叠层，该MIM反熔丝叠层包括：第一金属层；在所述第一金属层上方形成的二氧化硅、氮氧化硅或氮化硅反熔丝层；以及在所述反熔丝层上方形成的第二金属层；在所述MIM叠层上方形成邻接p-i-n二极管，所述邻接p-i-n二极管包括淀积的半导体材料；形成与所述淀积的半导体材料接触的硅化物、硅锗化物或锗化物层；以及晶化与所述硅化物、硅锗化物或锗化物层接触的所述淀积的半导体材料；其中所述存储器单元包括所述邻接p-i-n二极管和所述MIM叠层。