[发明专利]多个反熔丝存储器单元以及形成、编程和测试该器件的方法无效
| 申请号： | 200880118438.2 | 申请日： | 2008-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN101878508A | 公开（公告）日： | 2010-11-03 |
| 发明（设计）人： | S·B·赫纳;R·E·朔伊尔莱茵;C·J·派蒂 | 申请（专利权）人： | 桑迪士克3D公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 赵蓉民 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 描述了制造、编程和测试多层级同时可编程存储器单元的方法，所述存储器单元包括转向元件(例如二极管)和与其串联的两个、三个或更多个电介质反熔丝。所述反熔丝可以具有不同的厚度，或可以由具有不同的介电常数的电介质材料形成，或两者。选择所述反熔丝和编程电压，使得当对所述单元进行编程时，在所述存储器单元中最大的电压降在所述反熔丝中的仅一个上，而其他反熔丝允许某些漏电流。在某些实施例中，具有所述最大电压降的所述反熔丝击穿，而其他反熔丝仍旧完好。以此方式，所述反熔丝可以被单个地击穿，所以具有两个、三个或更多个反熔丝的存储器单元可以实现三种、四种或更多种唯一的数据状态中的任何一种。 | ||
| 搜索关键词： | 多个反熔丝 存储器 单元 以及 形成 编程 测试 器件 方法 | ||
【主权项】：
一种用于对存储器单元进行编程的方法，所述存储器单元包括转向元件、第一电介质反熔丝层以及第二电介质反熔丝层，所述转向元件、第一电介质反熔丝层和第二电介质反熔丝层都被串联地布置在第一导体和第二导体之间，其中所述方法包括：将第一编程脉冲施加在所述第一导体和所述第二导体之间，其中所述第一编程脉冲导致所述第一电介质反熔丝层的介质击穿。
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