[发明专利]形成抗蚀剂下层膜的组合物和抗蚀剂图案的形成方法有效
| 申请号： | 200880118921.0 | 申请日： | 2008-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN101884015A | 公开（公告）日： | 2010-11-10 |
| 发明（设计）人： | 广井佳臣;石田智久;远藤贵文 | 申请（专利权）人： | 日产化学工业株式会社 |
| 主分类号： | G03F7/11 | 分类号： | G03F7/11;C08G59/22;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 段承恩;陈海红 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种用于形成抗蚀剂下层膜的组合物，由其形成的抗蚀剂下层膜的干蚀刻速度的选择比大，在ArF准分子激光之类的短波长下的k值和折射率n显示出希望的值，还显示出溶剂耐性。提供了一种形成光刻用抗蚀剂下层膜的组合物，其特征在于，含有线状聚合物和溶剂，所述线状聚合物的主链上具有含有芳香环的结构和含有氮原子的结构中的至少一种结构，所述芳香环或所述氮原子上直接连接有至少一个烷氧基烷基或羟基烷基。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 抗蚀剂 下层 组合 图案 方法 | ||
【主权项】：
一种形成光刻用抗蚀剂下层膜的组合物，其特征在于，含有线状聚合物和溶剂，所述线状聚合物的主链上具有含有芳香环的结构和含有氮原子的结构中的至少一种结构，所述芳香环或所述氮原子上直接连接有至少一个烷氧基烷基或羟基烷基。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日产化学工业株式会社，未经日产化学工业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200880118921.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
