[发明专利]活性膜的沉积有效
| 申请号： | 200880119476.X | 申请日： | 2008-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN101919022A | 公开（公告）日： | 2010-12-15 |
| 发明（设计）人： | C·埃勒特;W·韦兰德;D·佐齐;A·A·H·塔哈 | 申请（专利权）人： | 欧瑞康太阳IP股份公司(特吕巴赫) |
| 主分类号： | H01J37/00 | 分类号： | H01J37/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 臧霁晨;李家麟 |
| 地址： | 瑞士特*** | 国省代码： | 瑞士;CH |
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| 摘要： | 用于处理衬底(40)的等离子体反应器(1)，其包括被布置在所述反应器(1)内的至少两个电极(20，30)，在所述两个电极(20，30)之间定义内部工艺空间(13)，同时所述两个电极(20，30)彼此相对地并且相对于所述电极(20，30)的第一表面(20a)平行地被设置。另外，其包括用于将气体传送入以及传送出所述等离子体反应器(1)的气体入口(11)以及气体出口(12)、被连接到所述电极(20，30)中的至少一个的射频发生器(21)。所述电极(20，30)中的至少一个具有矫正层，所述矫正层沿面向所述内部工艺空间(13)的表面(20a)具有非平面的形状，所述非平面的形状在沿所述电极(20)的半径的第一截面中具有包括三个连续的并且邻近的分段的轮廓，即第一、第二和第三分段，其中所述第三分段邻近于所述电极(20)的边缘并且其中所述第一分段中的中间梯度小于所述第二分段中的中间梯度并且所述第二分段中的中间梯度大于所述第三分段中的中间梯度。以上述方式成形的电极(20)沿所述衬底(40)的表面提供均匀的等离子体强度并且因此提供同质的并且以均匀的厚度为特征的处理。本发明还允许真空处理设备(1)的紧凑的构造。 | ||
| 搜索关键词： | 活性 沉积 | ||
【主权项】：
一种用于处理衬底(40)的等离子体反应器(1)，所述等离子体反应器(1)包括：a)至少两个电极(20，30)，所述至少两个电极(20，30)被布置在所述反应器(1)内，在其之间定义内部工艺空间(13)，同时所述两个电极(20，30)彼此相对地并且相对于所述电极(20，30)的第一表面平行地被设置；b)气体入口(11)以及气体出口(12)，所述气体入口(11)以及气体出口(12)用于将气体传送入以及传送出所述等离子体反应器(1)；c)射频发生器(21)，所述射频发生器(21)被连接到所述电极(20，30)中的至少一个；d)同时所述电极(20，30)中的至少一个具有矫正层，所述矫正层沿面向所述内部工艺空间(13)的表面(20a)具有非平面的形状；其特征在于，e)至少一个电极(20)具有矫正层，所述矫正层在沿所述电极(20)的半径的第一截面中具有包括三个连续的并且邻近的分段的轮廓，即第一、第二和第三分段，其中f)所述第三分段邻近于所述电极(20)的边缘并且其中g)所述第一分段中的中间梯度小于所述第二分段中的中间梯度并且所述第二分段中的中间梯度大于所述第三分段中的中间梯度。
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