[发明专利]高电阻率碳化硅

摘要

在此提供了一种再结晶的碳化硅本体，该再结晶的碳化硅本体具有不小于约1E5Ωcm的电阻率以及包括结合在该本体之中的氮原子的氮含量，其中该氮含量是不大于约200ppm。

主权项

一种多晶式再结晶的碳化硅本体，其具有：不小于1E5Ωcm的电阻率；以及结合在该多晶式再结晶的碳化硅本体之中的氮原子的一个氮含量，其中该氮含量是不大于50ppm；其中该多晶式再结晶的碳化硅本体是通过升华再结晶方法形成的，且其中用于形成该多晶式再结晶的碳化硅本体的该升华再结晶方法将具有不大于15微米的平均粒度的第一组细碳化硅颗粒与具有不小于30微米的平均粒度的第二组粗碳化硅颗粒相结合；其中所述第一组细碳化硅颗粒不小于10wt％且不大于80wt％，并且所述第二组粗碳化硅颗粒不小于10wt％且不大于80wt％。