[发明专利]绝缘栅E模式晶体管有效
| 申请号： | 200880120050.6 | 申请日： | 2008-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN101897029A | 公开（公告）日： | 2010-11-24 |
| 发明（设计）人： | 徐昌秀;伊兰·本-雅各布;罗伯特·科菲;乌梅什·米什拉 | 申请（专利权）人： | 特兰斯夫公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/768;H01L21/336;H01L29/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 孙志湧;穆德骏 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本文描述了一种增强模式III族氮化物晶体管，其具有截止状态下的大的源极到漏极势垒、低的截至状态泄漏、和接入区中的低沟道电阻。该器件可以包括在栅极下面的电荷耗尽层和/或在栅极区外面即在接入区中的电荷增强层。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 模式 晶体管 | ||
【主权项】：
一种III族氮化物HEMT器件，包括：栅极电极；源极电极和漏极电极；一系列III族氮化物层，其形成具有与所述源极电极和漏极电极形成欧姆接触的最上层的N面堆叠；以及沟道耗尽部分，其在所述栅极电极与所述N面堆叠的所述最上层之间，其中，所述沟道耗尽部分未一直延伸到所述源极电极。
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