[发明专利]通过升华/凝结方法生产大的均匀碳化硅晶锭的方法无效
| 申请号： | 200880120412.1 | 申请日： | 2008-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN101896646A | 公开（公告）日： | 2010-11-24 |
| 发明（设计）人： | 马克·洛博达;朴承浩;维克托·托里斯 | 申请（专利权）人： | 陶氏康宁公司 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36;C01B31/36 |
| 代理公司： | 北京市德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 孙征;陆鑫 |
| 地址： | 美国密*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及一种生产单片晶锭碳化硅的方法，包括：i)将含有多晶硅金属片和碳粉的混合物引入到带盖圆柱形反应池；ii)密封i)的圆柱形反应池；iii)将ii)的圆柱形反应池引入到真空炉中；iv)对iii)的真空炉抽气；v)用基本上属于惰性气体的气体混合物填充iv)的真空炉至接近大气压；vi)将v)真空炉中的圆柱形反应池加热至1600至2500℃；vii)将vi)的圆柱形反应池减压至低于50托但不低于0.05托；和viii)容许vii)的圆柱形反应池盖内的蒸汽基本上升华和凝结。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 升华 凝结 方法 生产 均匀 碳化硅 | ||
【主权项】：
一种生产碳化硅单片晶锭的方法，包括：i)将包括多晶硅金属片和碳粉的混合物引入到带盖的圆柱形反应池；ii)密封i)的圆柱形反应池；iii)将ii)的圆柱形反应池引入到真空炉中；iv)对iii)的真空炉抽气；v)用基本上是惰性气体的气体混合物填充iv)的真空炉至接近大气压；vi)将v)真空炉中的圆柱形反应池加热至1600至2500℃的温度；vii)将vi)的圆柱形反应池减压至低于50托但不低于0.05托；和viii)容许vii)的圆柱形反应池的盖内的蒸汽基本上升华和凝结。
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