[发明专利]喷淋头电极总成和包含该喷淋头电极总成的等离子体处理室有效
申请号: | 200880121177.X | 申请日: | 2008-09-09 |
公开(公告)号: | CN101896637A | 公开(公告)日: | 2010-11-24 |
发明(设计)人: | 格雷格·贝当古;拉金德尔·德辛德萨;乔治·迪尔克斯;兰德尔·A·哈丁;乔恩·科尔;杜安·莱特尔;阿列克谢·马拉赫塔诺夫;罗杰·帕特里克;约翰·佩格;莎伦·斯宾塞 | 申请(专利权)人: | 朗姆研究公司 |
主分类号: | C23C16/00 | 分类号: | C23C16/00;H01L21/205;C23C16/455 |
代理公司: | 上海华晖信康知识产权代理事务所(普通合伙) 31244 | 代理人: | 樊英如 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明大体涉及等离子体处理,尤其涉及等离子体处理中使用的等离子体处理室和电极总成。根据本发明的一个实施方式,提供一种包含热控制板、硅基喷淋头电极和紧固硬件的电极总成,其中该硅基喷淋头电极包含在该硅基喷淋头电极的背部中形成的多个部分缺口和位于该部分缺口中的背部插入件。该热控制板包含被配置为允许紧固硬件进入该背部插入件的紧固硬件通道。该紧固硬件和该背部插入件被配置为保持该热控制板和该硅基喷淋头点击的啮合并允许该热控制板和该硅基喷淋头电极的拆卸,在拆卸过程中隔离该硅基喷淋头电极的该硅基电极材料与该紧固硬件,免于摩擦接触。 | ||
搜索关键词: | 喷淋 电极 总成 包含 等离子体 处理 | ||
【主权项】:
一种包含热控制板、硅基喷淋头电极和紧固硬件的电极总成,其中:该热控制板包含背部、前部和被配置为将处理气体引导到该热控制板的前部的一个或多个处理气体通道;该硅基喷淋头电极包含背部、前部和从该硅基喷淋头电极的背部延伸到该硅基喷淋头电极的前部的多个喷淋头通道;该硅基喷淋头电极进一步包含在该硅基喷淋头电极的背部中形成的多个部分缺口,该部分缺口在该缺口和该硅基喷淋头电极的前部之间留下一定厚度的硅基电极材料;该硅基喷淋头电极进一步包含位于沿着该硅基喷淋头电极的背部的该部分缺口中的背部插入件;该热控制板进一步包含被配置为允许紧固硬件进入位于沿着该硅基喷淋头电极的背部的该部分缺口中的该背部插入件的紧固硬件通道;该热控制板和该硅基喷淋头电极啮合为该热控制板的前部面对该硅基喷淋头电极的背部,该硅基喷淋头电极中的该喷淋头通道与该热控制板中的该处理气体通道对准,且该紧固硬件通道与位于沿着该硅基喷淋头电极的背部的该部分缺口中的该背部插入件对准;该紧固硬件延伸至少部分穿过该热控制板中的该紧固硬件通道,与位于沿着该硅基喷淋头电极的背部的该部分缺口中的该背部插入件啮合;以及该紧固硬件和该背部插入件被配置为保持该热控制板和该硅基喷淋头电极的啮合并允许该热控制板和该硅基喷淋头电极的拆卸,同时在拆卸过程中隔离该硅基喷淋头电极的该硅基电极材料与该紧固硬件免于摩擦接触。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
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