[发明专利]压电陶瓷多层元件有效
| 申请号： | 200880121198.1 | 申请日： | 2008-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN101903308B | 公开（公告）日： | 2017-04-19 |
| 发明（设计）人： | R·宾迪格;H-J·施赖纳 | 申请（专利权）人： | 陶瓷技术有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L41/187 | 分类号： | H01L41/187 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 石克虎,林森 |
| 地址： | 德国普*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 按现有技术，压电陶瓷多层元件在约1100℃或更高的温度下在空气中经烧结。因此仅可用具有高熔点的贵金属作为内电极。非贵金属会发生氧化。所以通常使用含至多40％钯的银‑钯合金。但这又涉及高的材料成本问题。内电极材料的低熔点也需具有相应低的烧结温度的陶瓷材料。因此本发明建议，在母材中加入非导电的烧结助剂，该内电极含银优选纯银作为主材料成分，并含非导电材料成分和/或金属合金或金属氧化物混合物。 | ||
| 搜索关键词： | 压电 陶瓷 多层 元件 | ||
【主权项】：
用于由PZT‑材料作为母材来制备压电陶瓷多层元件的材料，其特征在于，向该母材中加入非导电烧结助剂，其中该烧结助剂选自一价、两价或三价的金属氧化物，该金属氧化物选自Na2O、K2O、MgO、CaO、SrO、Al2O3、Fe2O3、NiO或Mn2O3；或者该烧结助剂含四价阳离子，选自SiO2、GeO2、InO2或TiO2；或者烧结助剂含五价阳离子，选自P2O5、As2O5、Sb2O5或Bi2O5；和其中该烧结助剂由一种物质或一组的前述物质组合或不同组的前述物质组合组成，其中用于制备该压电陶瓷多层元件的材料的烧结温度不超过950℃。
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