[发明专利]低湿蚀刻速率的氮化硅膜

摘要

本发明是关于利用高密度等离子体化学气相沉积技术，在基板温度低于600℃下沉积低湿蚀刻速率氮化硅膜至基板上的方法。该方法还包括维持等离子体中的氮与硅呈高比例及维持低处理压力。

主权项

一种利用一高密度等离子体化学气相沉积工艺沉积一氮化硅膜至一处理腔室中的一基板上的方法，该方法包含：将一包含氮与硅的处理气体混合物流入该处理腔室中，同时维持该氮原子流率与该硅原子流率的一平均比率为约50∶1或更大，维持该处理腔室中的一平均压力为约40毫托或更小，以及维持一平均基板温度为600℃或更低；以及从该处理气体形成一高密度等离子体以沉积该氮化硅膜至该基板上。