[发明专利]形成半导体薄膜的方法和制造薄膜半导体器件的方法无效
申请号: | 200880122202.6 | 申请日: | 2008-12-25 |
公开(公告)号: | CN101903993A | 公开(公告)日: | 2010-12-01 |
发明(设计)人: | 大江贵裕;君岛美树 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L21/368 | 分类号: | H01L21/368;H01L21/336;H01L29/786;H01L51/05;H01L51/40 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人: | 宋鹤;南霆 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明涉及形成半导体薄膜的方法和制造薄膜半导体器件的方法,提供一种用于形成半导体薄膜的方法,其能抑制由于受热导致的迁移率降低和由于迁移率降低导致的特性劣化,并且能够通过更简单的工艺形成具有改善的耐热性的半导体薄膜。在衬底上涂覆或印刷通过混合包括有机半导体材料在内的多种有机材料所制备的溶液以形成薄膜,并且通过干燥薄膜的过程使得所述多种有机材料发生相分离。结果,获得多层结构的半导体薄膜,其中,由有机绝缘材料组成的中间层被夹在两个半导体层中间。 | ||
搜索关键词: | 形成 半导体 薄膜 方法 制造 半导体器件 | ||
【主权项】:
一种用于形成半导体薄膜的方法,包括:通过在衬底上涂覆或印刷溶液而形成薄膜,所述溶液是通过混合包括有机半导体材料在内的多种有机材料所制备的;以及在用于干燥所述薄膜的过程中使得所述多种有机材料发生相分离,以形成多层结构的半导体薄膜,所述多层结构的半导体薄膜包括由所述有机半导体材料组成的半导体层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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