[发明专利]用于控制衬底温度的方法和设备无效
| 申请号： | 200880122238.4 | 申请日： | 2008-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN101903996A | 公开（公告）日： | 2010-12-01 |
| 发明（设计）人： | 保罗·L·比瑞哈特;理查德·查尔斯·弗威尔;哈密迪·塔瓦索里;逍平·周;道格拉斯·A·小布什伯特 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/687;H01L21/205;H01L21/265;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 赵飞;南霆 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于在处理期间控制衬底温度的底座组件与方法。在一个实施例中，用于在处理期间控制衬底温度的方法包括：将衬底放置于于真空处理室中的衬底底座组件上；藉由使热传流体流动通过该衬底底座组件内的径向流路来控制该衬底底座组件的温度，该径向流路包括径向向内部分与径向向外部分；及等离子体处理位于该受温控衬底底座组件上的衬底。在另一个实施例中，该等离子体处理的步骤可以为等离子体处理、化学气相沉积工艺、物理气相沉积工艺、离子注入工艺、或蚀刻工艺等的至少一者。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 控制 衬底 温度 方法 设备 | ||
【主权项】：
一种用于在处理期间控制衬底温度之方法，所述方法包括：将衬底放置于真空处理室中的衬底底座组件上；藉由使热传流体流动通过所述衬底底座组件内的径向流路来控制所述衬底底座组件的温度，所述径向流路包括径向向内部分与径向向外部分；及等离子体处理位于受温控的所述衬底底座组件上的所述衬底。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
