[发明专利]具有层合铁磁核和用于抑制涡流磁场的超导膜的电磁体无效

专利信息
申请号: 200880122269.X 申请日: 2008-12-19
公开(公告)号: CN101903792A 公开(公告)日: 2010-12-01
发明(设计)人: J·A·奥弗韦格;H·蒂明格;B·戴维 申请(专利权)人: 皇家飞利浦电子股份有限公司
主分类号: G01R33/381 分类号: G01R33/381;G01R33/385;H01B12/06;H01B12/16;H01F7/11
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 王英;刘炳胜
地址: 荷兰艾*** 国省代码: 荷兰;NL
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摘要: 一种电磁体包括:铁磁核(50,72);导电绕组(34,76),其被设置在所述铁磁核周围,从而使得在所述绕组中流动的电流磁化所述铁磁核;以及超导膜(60,80,82),其被布置为承载涡流抵消超电流,该涡流抵消超电流在所述绕组磁化所述铁磁核时抑制所述铁磁核中的涡流形成。一种磁共振扫描器的实施例包括生成静磁场的主磁体(20)以及具有多个所述电磁体(34,50,60)的磁场梯度系统(30),其中这些电磁体被配置为将所选择的磁场梯度叠加到所述静磁场上。
搜索关键词: 具有 层合铁磁核 用于 抑制 涡流 磁场 超导 磁体
【主权项】:
一种电磁体,其包括:层合铁磁核(50,72);导电绕组(34,76),其被设置在所述铁磁核周围,从而使得在所述导电绕组中流动的电流在所述铁磁核中生成磁场(B,Ba,B涡流);以及超导膜(60,80,82),其被布置为平行于所述层合铁磁核的叠层(74),从而使得所述超导膜中的感生电流(JS)抑制所述铁磁核中垂直于所述铁磁核的所述叠层的磁场分量(B涡流)。
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