[发明专利]永磁体的制造方法有效
| 申请号： | 200880122406.X | 申请日： | 2008-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN101911226A | 公开（公告）日： | 2010-12-08 |
| 发明（设计）人： | 永田浩;新垣良宪 | 申请（专利权）人： | 株式会社爱发科 |
| 主分类号： | H01F41/02 | 分类号： | H01F41/02;B22F1/00;B22F3/02;C22C33/02;B22F9/04 |
| 代理公司： | 北京英特普罗知识产权代理有限公司 11015 | 代理人： | 齐永红 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种永磁体的制造方法，通过在磁场中组合具有更相等的结晶方位关系的原料粉末结晶断面，制造具有极高定向性的永磁体。本发明中，将原料粉末P填充到模腔(22)中，在模腔内针对原料粉末P，边以面积小于该模腔的剖面面积的挤压装置(5)进行挤压，边在磁场中进行定向，将该经定向的原料粉末在磁场中压缩成形，形成规定形状。 | ||
| 搜索关键词： | 永磁体 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种永磁体的制造方法，其特征在于，包括：定向工序，其把原料粉末填充到填充室中，针对该原料粉末，边以面积小于该填充室的剖面面积的挤压装置进行挤压，边在磁场中进行定向；以及成形工序，将该经定向的原料粉末在磁场中压缩成形，形成规定的形状。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社爱发科，未经株式会社爱发科许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200880122406.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
